金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“前级管路的压力检测装置及薄膜沉积设备”的专利，公开号CN120427170A，申请日期为2025年06月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种前级管路的压力检测装置及薄膜沉积设备，该装置包括：前级管路、安装管和真空规，所述安装管的第一端与所述真空规连接，所述安装管的第二端穿过所述前级管路的侧壁伸入到所述前级管路中；其中，所述安装管的第二端上设有进气口，所述进气口背向所述前级管路中气体的气流方向。

　　天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线条，此外企业还拥有行政许可10个。